LSI1012XT1G_LRC_乐山无线电_SC89_MOSFETs

LSI1012XT1G 型号参数

LSI1012XT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子秤、微波炉、复印机、游戏机、 USB闪存盘，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：LSI1012XT1G
品牌：乐山无线电(LRC)
分类：MOSFETs
参数：20V 0.5A 250mW 410mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel 750pC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SC-89

MOSFETs可应用场景，如 DVD播放器、心电图仪、固态硬盘、门禁系统、电动自行车控制器、电子白板、电子烤箱温度计、电动自行车等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LSI1013XT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：250mW
LN2502LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A
LBSS138LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW N–Channel
LP9435LT1G	30V 5.3A 50mΩ@10V,5.3A 1.4W 3V@250uA 51pF@15V P Channel 644pF@15V 10nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
L2N7002KLT1G	MOSFETs N-沟道 Vdss=60V Id@25℃=320mA SOT23
LP3443LT1G	20V P沟道增强型MOSFET
LN2302LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
LN4812LT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23
LP2301LT1G	20V P沟道增强型MOSFET
L2N7002LT1G	MOSFETs N-Channel VDSS=60V PD=225mW ID=500mA SOT23

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