L2N7002SLT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

L2N7002SLT1G 型号参数

L2N7002SLT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如扫描仪、网络适配器、话筒（麦克风）、蓝牙耳机、集成电路板，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
LBSS260DW1T1G	60V 0.2A 380mW 1.44Ω@10V,500mA 1V@250uA SC-88
L2N7002SLT1G	SOT23 SMT 60V N–Channel
LN2306LT1G	30V N沟道增强型MOSFET
LBSS84WT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
LN2312LT1G	20V N沟道增强型MOSFET
LSI1013XT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：250mW
L2N7002WT1G	小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70
SRK7002LT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω SOT23
LP0404N3T5G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V
LP9435LT1G	30V 5.3A 50mΩ@10V,5.3A 1.4W 3V@250uA 51pF@15V P Channel 644pF@15V 10nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23

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