L2N7002KLT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: L2N7002KLT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

L2N7002KLT1G 型号参数

L2N7002KLT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 DVD播放器、音频信号处理器、 B超机、烤箱、交换机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如显示器、电子胎心监测仪、吉他效果器、手机充电器、路由器、人脸识别设备、电子阅读器、显卡等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SRK7002LT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω SOT23
S-L2N7002SLT1G	S-L2N7002SLT1G
L2SK801LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V
L2N7002SDW1T1G	2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW
LBSS260DW1T1G	60V 0.2A 380mW 1.44Ω@10V,500mA 1V@250uA SC-88
LN2502LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A
LBSS84ELT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
LP3443LT1G	20V P沟道增强型MOSFET
LN4501LTIG	20 V, 3.2 A, Single N−Channel,SOT−23
LBSS84WT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW

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