L2N7002KLT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

L2N7002KLT1G 型号参数

L2N7002KLT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如移动硬盘、心电图仪、电子门锁、手机充电器、电视机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
LP0404N3T5G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V
LP3443LT1G	20V P沟道增强型MOSFET
LN2502LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A
LP3407LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W
LBSS123LT1G	SOT23 SMT 100V
LSI1012N3T5G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW
L2SK3018WT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70
L2N7002WT1G	小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70
LSI1012LT1G	20V 0.5A 225mW 700mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel SOT-23-3L
L2N7002DW1T1G	MOSFETs Dual N-channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA SOT363-6

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