S-L2N7002SLT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23(TO-236)_MOSFETs

Name: S-L2N7002SLT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23(TO-236)_MOSFETs
Brand: LRC

S-L2N7002SLT1G 型号参数

S-L2N7002SLT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子厨房计时器、逻辑分析仪、示波器、万用表、智能照明系统，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子厨房计时器、电子脱毛器、扫描仪、扫地机器人、信号发生器、电子血压手环、电子温度计、空调等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
L2N7002WT1G	小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70
LP4101LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
LP2301ELT1G	MOSFETs P-CH 20V 2.8A 110mΩ@4.5V,2.8A SOT23
LN4812LT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23
L2SK3018WT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70
LSI1013XT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：250mW
L2SK801LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V
LBSS123LT1G	SOT23 SMT 100V
L2N7002SLT1G	SOT23 SMT 60V N–Channel
LP3218DT1G	MOS管 P-channel Id=8.2A VDS=12V DFN6_2X2MM

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