S-L2N7002SLT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23(TO-236)_MOSFETs

Name: S-L2N7002SLT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23(TO-236)_MOSFETs
Brand: LRC

S-L2N7002SLT1G 型号参数

S-L2N7002SLT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 MRI扫描仪、智能安防摄像头、 USB闪存盘、集成电路板、电子秤，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如复印机、 MP4播放器、网卡、不间断电源（UPS）、电子秤、固态硬盘、智能安防摄像头、电子驱蚊器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LBSS123LT1G	SOT23 SMT 100V
L2N7002KLT1G	MOSFETs N-沟道 Vdss=60V Id@25℃=320mA SOT23
LN2312LT1G	20V N沟道增强型MOSFET
LP9435LT1G	30V 5.3A 50mΩ@10V,5.3A 1.4W 3V@250uA 51pF@15V P Channel 644pF@15V 10nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
LBSS139WT1G	MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5.6@2.75V SOT323
LBSS84WT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
LN2502LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A
LSI1013XT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：250mW
LN2302LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
L2N7002DW1T1G	MOSFETs Dual N-channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA SOT363-6

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