L2N7002LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: L2N7002LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

L2N7002LT1G 型号参数

L2N7002LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能音箱、台式电脑主机、电源供应器、 3D打印机、洗衣机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如气体报警器、变压器、路由器、 USB闪存盘、电动工具、稳压电源、电子广告牌、烟雾报警器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LSI1012N3T5G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW
L2N7002SLT1G	SOT23 SMT 60V N–Channel
L2N7002KLT1G	MOSFETs N-沟道 Vdss=60V Id@25℃=320mA SOT23
S-L2N7002SLT1G	S-L2N7002SLT1G
LN2302LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
LP2301ELT1G	MOSFETs P-CH 20V 2.8A 110mΩ@4.5V,2.8A SOT23
L2N7002DW1T1G	MOSFETs Dual N-channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA SOT363-6
L2SK801LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V
LP0404N3T5G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V
SRK7002LT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω SOT23

型号相关

热门型号