L2N7002LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

L2N7002LT1G 型号参数

L2N7002LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如摄像头、遥控器、声卡、液晶显示器、示波器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
LP9435LT1G	30V 5.3A 50mΩ@10V,5.3A 1.4W 3V@250uA 51pF@15V P Channel 644pF@15V 10nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
LP4101LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
S-L2N7002SLT1G	S-L2N7002SLT1G
L2N7002SLT1G	SOT23 SMT 60V N–Channel
LBSS139WT1G	MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5.6@2.75V SOT323
LBSS260DW1T1G	60V 0.2A 380mW 1.44Ω@10V,500mA 1V@250uA SC-88
L2SK3018WT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70
LBSS84ELT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
LP2301LT1G	20V P沟道增强型MOSFET
LBSS84LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW P–Channel

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