Name: MUN5235DW1T1G_ON_安森美_SOT-363_带预偏置三极管
Brand: ON

MUN5235DW1T1G 型号参数

MUN5235DW1T1G是品牌ON安森美，研发制造的带预偏置三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子手表、无人机、电子气压计、扫描仪、逆变器，带预偏置三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

应用场景

带预偏置三极管可应用场景，如电子手表、 3D打印机、数字信号处理器（DSP）、智能手机、扬声器、摄像头、手机、电子罗盘等，想要了解更多带预偏置三极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
MMUN2214LT1G	带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23
MUN5313DW1T1G	带有单片偏置电阻网络的NPN和PNP晶体管
MUN5214DW1T1G	带预偏置三极管 Dual NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=250mW SOT363
MMUN2233LT1G	带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23
MUN2111T1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=338mW SC59
SMUN5313DW1T1G	互补偏置电阻晶体管R1=47KΩ，R2=47KΩ带有单片式bias电阻网络的NPN和PNP晶体管
MUN5111DW1T1G	带预偏置三极管 SOT363 Dual PNP Ic=100mA VCEO=50V
MMUN2112LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=60 P=400mW SOT23
MUN5111T1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=310mW SOT323
MUN5214T1G	带有单片偏置电阻网络的NPN晶体管