NCE20P45Q_NCE_无锡新功率_DFN8_3.3X3.3MM_MOSFETs

Name: NCE20P45Q_NCE_无锡新功率_DFN8_3.3X3.3MM_MOSFETs
Brand: NCE

NCE20P45Q 型号参数

NCE20P45Q是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如音频功率放大器、智能音箱、功放设备、调制解调器、电子血压计袖带，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子书阅读器、电子助听器、光纤连接器、电子血压计袖带、 X光机、汽车、蓝牙音箱、 LED显示器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP0114AS	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=14A RDS(ON)=13mΩ@4.5V SOP8_150MIL
NCEP60T18	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：220W TO220-3L
NCE0224K	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：24A 功率(Pd)：150W
NCE8295AD	MOS管 N-Channel VDS=82V VGS=±20V ID=95A RDS(ON)=8mΩ@10V TO263-2L
NCE8295A	N沟道 Vdss：82V Id：95A Pd：200W
NCE65T900F	MOS管 N-channel Id=5A VDS=650V TO-220F
NCEP85T25T	MOS管 N-Channel VDS=85V VGS=±20V ID=250A RDS(ON)=2.8mΩ@10V TO247
NCE3007S	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.3W
NCE65T540K	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：69W
NCE9926	2个N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.25W

型号相关

热门型号