NCE30P30K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: NCE30P30K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: NCE

NCE30P30K 型号参数

NCE30P30K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能家居控制器、单片机、液晶显示器、电子签到系统、话筒（麦克风），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电动自行车、空调、电饭煲、电子咖啡机、 MRI扫描仪、电子手表、智能手机、内存条等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE40P05S	MOSFETs P沟道 40V 5.3A 120mΩ@-4.5V SOP8
NCEP40T17A	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：170A 功率(Pd)：250W TO220-3L
NCEP4090GU	NCEP4090GU
NCEP040N10D	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：130A 功率(Pd)：210W
NCE2303	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W
NCEP6090AGU	MOSFETs N-沟道 60V 90A 100W 4.5mΩ@4.5V DFN5X6-8L
NCE65T1K2F	MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A TO220F-3
NCE2333Y	P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.8W
NCE2030K	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：40W
NCE0205IA	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：78W

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