NCE60P04R是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 心电图仪、 交换机、 LED照明灯、 功放器、 调音台 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE60P04R
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT223
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 遥控器、 智能音箱、 打印机、 蓝牙耳机、 台式电脑主机、 LCD显示屏、 光纤连接器、 录像机 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE3080KA | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=80A TO252-2L |
| NCEP85T11 | N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：145W |
| NCE0117 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE0110AK | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; |
| NCE3401 | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.2W |
| NCE65T540K | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：69W |
| NCE4953 | 2个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.1A 功率(Pd)：2.5W |
| NCE30D2519K | 1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：21W |
| NCE3416 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE60P04R | MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT223 |
