NCEP023N10T是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 逻辑分析仪、 CT扫描仪、 饮水机、 无线网卡、 蓝牙音箱 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCEP023N10T
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：280A 功率(Pd)：365W TO247
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子书阅读器、 功放设备、 模拟信号处理器（ASP）、 内存条、 MP4播放器、 智能家居控制器、 汽车、 血糖仪 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE2060K | NCE N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE60P82AK | MOSFETs P-CH 60V 82A 150W TO-252-2L |
| NCE6080K | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W |
| NCEP30T21GU | 超级沟槽功率MOSFET N沟道 30V 210A 180W |
| NCE4953 | 2个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.1A 功率(Pd)：2.5W |
| NCE4012S | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W |
| NCE20P45Q | MOSFETs 1个P沟道 耐压:19V 电流:45A DFN8_3.3X3.3MM |
| NCE30D2519K | 1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：21W |
| NCE65T540K | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：69W |
| NCE3404 | N沟道增强型功率MOSFET |
