SIA931DJ-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAK®SC70-6_MOSFETs

Name: SIA931DJ-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAK®SC70-6_MOSFETs
Brand: Vishay

SIA931DJ-T1-GE3 型号参数

SIA931DJ-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如门禁系统、 CT扫描仪、手机、显示器、话筒（麦克风），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如稳压电源、模拟信号处理器（ASP）、电子手表、逻辑分析仪、电子空气净化器、摄像机、固态硬盘、 CT扫描仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SUM110P04-05-E3	MOSFETs P-channel VDS=40V ID=110A TO263-3
SUM110P06-08L-E3	表面贴装型 P 通道 60 V 110A（Tc） 3.75W（Ta），272W（Tc） TO-263（D²Pak）
SI4062DY-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=32.1A RDS(ON)=4.2mΩ@10V SOIC8_150MIL
SI1022R-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=330mA RDS(ON)=3Ω@4.5V SOT416-3
SIB441EDK-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=8.3A RDS(ON)=25.5mΩ@4.5V
SI4948BEY-T1-GE3	MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 60V 2.4A 1.4W 表面贴装型 8-SOIC
SI4178DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 12A（Tc） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC
SIS406DN-T1-GE3	MOSFETs 1个N沟道耐压:30V 电流:9A POWERPAK-1212-8
SI7288DP-T1-GE3	MOS管 Dual N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10A RDS(ON)=19mΩ@10V PowerPAK® SO-8
SI4848DY-T1-E3	MOSFETs N-Channel VDS=150V ID=2.7A SOIC8_150MIL

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