SIA931DJ-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAK®SC70-6_MOSFETs

Name: SIA931DJ-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAK®SC70-6_MOSFETs
Brand: Vishay

SIA931DJ-T1-GE3 型号参数

SIA931DJ-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子血压手环、汽车、电子咖啡机、笔记本电脑、网卡，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能安防摄像头、电子阅读器、微波炉、微处理器、功放设备、电动自行车控制器、 USB闪存盘、心电图仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SIR474DP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 20A（Tc） 3.9W（Ta），29.8W（Tc） PowerPAK® SO-8
SI7145DP-T1-GE3	MOSFETs P-CH 30V 60A PPAK SO-8
SIR882ADP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=17.6A RDS(ON)=8.7mΩ@10V
SI9933CDY-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=58mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
IRFP264PBF	MOSFETs N-Channel VDS=250V RDS=75mΩ ID=38A P=280W
SI7489DP-T1-E3	MOSFETs P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=28A RDS(ON)=41mΩ@10V
SI7121DN-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=16A RDS(ON)=15mΩ@10V
SUM110P06-08L-E3	表面贴装型 P 通道 60 V 110A（Tc） 3.75W（Ta），272W（Tc） TO-263（D²Pak）
SQJ459EP-T1_GE3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=52A RDS(ON)=18mΩ@10V
IRFR430ATRPBF	表面贴装型 N 通道 500 V 5A（Tc） 110W（Tc） D-Pak

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