SIE808DF-T1-E3_Vishay_威世_PPAK10_5.89X4.9MM_MOSFETs

Name: SIE808DF-T1-E3_Vishay_威世_PPAK10_5.89X4.9MM_MOSFETs
Brand: Vishay

SIE808DF-T1-E3 型号参数

SIE808DF-T1-E3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如功放设备、电子厨房计时器、话筒（麦克风）、安防摄像头、电动车充电器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电视机、电子门锁、电动自行车充电器、万用表、电子手表、直流电源、电子翻译器、视频线材等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI4948BEY-T1-E3	VDS=60V ID=2.4A PD=1.4W 2 P-Channel SOIC8_150MIL MOSFETs
IRF644PBF	MOS管 N-Channel VDS=250V VGS=±20V ID=14A RDS(ON)=280mΩ@10V TO220AB
IRF620PBF	通孔 N 通道 200 V 5.2A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
SI4401BDY-T1-E3	表面贴装型 P 通道 40 V 8.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SOIC
SI4634DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 24.5A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SOIC
SIR882ADP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=17.6A RDS(ON)=8.7mΩ@10V
SQD25N15-52_GE3	MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=25A RDS(ON)=52mΩ@10V TO252
SI4425DDY-T1-GE3	MOSFETs P-channel VDS=30V ID=19.7A SOIC8_150MIL
SI2325DS-T1-E3	MOS管 P-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=530mA RDS(ON)=1.2Ω@10V SOT23-3
SI4909DY-T1-GE3	MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO

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