SIE808DF-T1-E3_Vishay_威世_PPAK10_5.89X4.9MM_MOSFETs

Name: SIE808DF-T1-E3_Vishay_威世_PPAK10_5.89X4.9MM_MOSFETs
Brand: Vishay

SIE808DF-T1-E3 型号参数

SIE808DF-T1-E3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如微处理器、 LED显示器、 CT扫描仪、显示器、调音台，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能安防摄像头、调制解调器、摄像机、实验室离心机、电动自行车、机器人、智能手环、电子气压计等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI7454DDP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 21A（Tc） 4.1W（Ta），29.7W（Tc） PowerPAK® SO-8
IRFU320PBF	通孔 N 通道 400 V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
SI4425DDY-T1-GE3	MOSFETs P-channel VDS=30V ID=19.7A SOIC8_150MIL
SIZ340DT-T1-GE3	MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（半桥） 30V 30A，40A 16.7W，31W 表面贴装型 8-Power33（3x3）
SI7149DP-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=23.7A RDS(ON)=5.2mΩ@10V
SQ2310ES-T1_GE3	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=6A RDS(ON)=30mΩ@4.5V SOT23-3
SIA931DJ-T1-GE3	MOSFET PowerPAK SC70-6 Dual P-Channel ID=4.5A
SI2307CDS-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=2.7A RDS(ON)=88mΩ@10V SOT23-3
SI4948BEY-T1-E3	VDS=60V ID=2.4A PD=1.4W 2 P-Channel SOIC8_150MIL MOSFETs
SI1317DL-T1-GE3	MOSFET SOT323 P-Channel ID=1.4A

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