FQA24N60_ON_安森美_TO3PN_MOSFETs

FQA24N60 型号参数

FQA24N60是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能安防摄像头、汽车电子控制系统、液晶显示器、 MP3播放器、不间断电源（UPS），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
NTA4151PT1G	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA
FQA24N60	通孔 N 通道 600 V 23.5A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
FDN304P	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2.4A RDS(ON)=52mΩ@4.5V SOT23-3
FDC6420C	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID (N-Channel)=3A ID (P-Channel)=2.2A TSOT23-6
FQA9N90C	通孔 N 通道 900 V 9A（Tc） 280W（Tc） TO-3P
FDN327N	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=8A RDS(ON)=70mΩ@4.5V SOT23-3
FDMS86101	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=12.4A RDS(ON)=8mΩ@10V PQFN8_4.9X5.8MM_EP
MMBF170LT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA RDS(ON)=5Ω@10V SOT23
BVSS84LT1G	MOS管 P-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=130mA RDS(ON)=10Ω SOT23
NTJD4001NT1G	MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=1.5Ω@4V SOT363

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