GBJ5010_MDD_辰达半导体_GBJ_整流桥

Name: GBJ5010_MDD_辰达半导体_GBJ_整流桥
Brand: MDD

GBJ5010 型号参数

GBJ5010是品牌MDD辰达半导体，研发制造的整流桥产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子榨汁机、电子词典、 MP4播放器、电子除湿机、万用表，整流桥与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

整流桥可应用场景，如显示器、手机充电器、智能音箱、录像机、电子湿度计、电子温度计、网络适配器、电子榨汁机等，想要了解更多整流桥相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
GBU2510	封装:GBU 正向压降(Vf):1V@12.5A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:25A 反向电流(Ir):5uA@1kV
DB157	桥式整流器/整流桥 VRM=1000V，IO=1.5A，IFSM=50A，VF=1.1V，IR=10uA
GBJ5010	桥式整流器/整流桥 1kV 50A 1.1V@25A GBJ
MB10F	封装:MBF 正向压降(Vf):1.1V@500mA 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A 反向电流(Ir):5uA@1kV
KMB24F	封装:MBF 正向压降(Vf):550mV@2A 直流反向耐压(Vr):40V 整流电流:2A 反向电流(Ir):500uA@40V
TTR8MF	封装:TTF 正向压降(Vf):950mV@4A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:8A 反向电流(Ir):150nA@1kV
GBU1010	封装:GBU 正向压降(Vf):1.1V@5A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:10A 反向电流(Ir):10uA@1kV
MSB40M	封装:UMSB 正向压降(Vf):1.1V@4A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:4A 反向电流(Ir):5uA@1kV
ABS10	封装:ABS 正向压降(Vf):1.1V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A 反向电流(Ir):5uA@1kV
KBL608	封装：KBL 参数：VR=400V IF=3A VF=1.3V IR=5uA trr=50nS

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