GBU2510_MDD_辰达半导体_GBU_整流桥

Name: GBU2510_MDD_辰达半导体_GBU_整流桥
Brand: MDD

GBU2510 型号参数

GBU2510是品牌MDD辰达半导体，研发制造的整流桥产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如逻辑分析仪、电子气压计、摄像头、打印机、智能门锁，整流桥与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

整流桥可应用场景，如频谱分析仪、 MRI扫描仪、智能门锁、功放设备、气体报警器、空调、电子胎心监测仪、手机充电器等，想要了解更多整流桥相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
ABS10	封装:ABS 正向压降(Vf):1.1V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A 反向电流(Ir):5uA@1kV
KBP310	封装：KBP 参数：VR=60V IF=2A VF=0.70V IR=500uA
DB107S	封装:DBS 正向压降(Vf):1.1V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A 反向电流(Ir):10uA@1kV
GBU808	封装:GBU 正向压降(Vf):1V@4A 直流反向耐压(Vr):800V 整流电流:8A 反向电流(Ir):10uA@800V
MB10F	封装：MBF 参数：VR=400V IF=2A VF=1.25V IR=5uA trr=35nS
MSB40M	封装:UMSB 正向压降(Vf):1.1V@4A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:4A 反向电流(Ir):5uA@1kV
GBU1010	封装:GBU 正向压降(Vf):1.1V@5A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:10A 反向电流(Ir):10uA@1kV
DB107	封装:DB 正向压降(Vf):1.1V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A 反向电流(Ir):10uA@1kV
KBU1010	封装:KBU 正向压降(Vf):1V@6A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:10A 反向电流(Ir):10uA@1kV
KBP210	封装:KBP 正向压降(Vf):1.1V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A 反向电流(Ir):10uA@1kV

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