L2N7002SDW1T1G_LRC_乐山无线电_SOT-363_MOSFETs

Name: L2N7002SDW1T1G_LRC_乐山无线电_SOT-363_MOSFETs
Brand: LRC

L2N7002SDW1T1G 型号参数

L2N7002SDW1T1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如射频连接器、集成电路板、门禁系统、笔记本电脑、微波炉，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电饭煲、智能家居控制器、人脸识别设备、 USB闪存盘、指纹识别器、电子咖啡机、逆变器、心电图仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
L2SK801LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V
S-L2N7002SLT1G	S-L2N7002SLT1G
LBSS84LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW P–Channel
L2N7002KLT1G	MOSFETs N-沟道 Vdss=60V Id@25℃=320mA SOT23
LN2306LT1G	30V N沟道增强型MOSFET
LBSS84ELT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
LP0404N3T5G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V
LN2302LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
LSI1012XT1G	20V 0.5A 250mW 410mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel 750pC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SC-89
L2N7002SLT1G	SOT23 SMT 60V N–Channel

型号相关

热门型号