LN2302LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: LN2302LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

LN2302LT1G 型号参数

LN2302LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如固态硬盘、 B超机、显示器、 USB闪存盘、血糖仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如稳压电源、人脸识别设备、逆变器、电子血压计、门禁系统、耳机、 CT扫描仪、变压器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LP0404N3T5G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V
LP4101LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
LBSS84WT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
L2N7002SDW1T1G	2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW
LN2312LT1G	20V N沟道增强型MOSFET
LBSS260DW1T1G	60V 0.2A 380mW 1.44Ω@10V,500mA 1V@250uA SC-88
S-L2N7002SLT1G	S-L2N7002SLT1G
LP3218DT1G	MOS管 P-channel Id=8.2A VDS=12V DFN6_2X2MM
LP3407LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W
LBSS84ELT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW

型号相关

热门型号