LBSS260DW1T1G_LRC_乐山无线电_SOT-363_MOSFETs

Name: LBSS260DW1T1G_LRC_乐山无线电_SOT-363_MOSFETs
Brand: LRC

LBSS260DW1T1G 型号参数

LBSS260DW1T1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子门锁、 RFID读写器、 USB闪存盘、电动车充电器、微处理器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 CT扫描仪、电动自行车、心电图仪、平板电脑、电子烤箱温度计、 RFID读写器、手机、智能照明系统等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LBSS123LT1G	SOT23 SMT 100V
SRK7002LT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω SOT23
L2N7002WT1G	小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70
LP3443LT1G	20V P沟道增强型MOSFET
L2N7002KDW1T1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=380A RDS(ON)=2.7mΩ@5V SOT363
L2N7002DW1T1G	MOSFETs Dual N-channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA SOT363-6
LBSS139WT1G	MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5.6@2.75V SOT323
LP0404N3T5G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V
LP4101LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
LBSS84LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW P–Channel

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