LBSS260DW1T1G_LRC_乐山无线电_SOT-363_MOSFETs

LBSS260DW1T1G 型号参数

LBSS260DW1T1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子除螨仪、扬声器、显卡、智能家居控制器、智能门锁，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
LBSS84LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW P–Channel
LP2301ELT1G	MOSFETs P-CH 20V 2.8A 110mΩ@4.5V,2.8A SOT23
LBSS84ELT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
L2SK3018WT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70
LSI1013XT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：250mW
LP2307LT1G	MOSFET 16V 4.7A 70mΩ@4.5V,4.7A 1.1W 1.4V@250uA P Channel SOT-23
LN2306LT1G	30V N沟道增强型MOSFET
LP4101LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
LP0404N3T5G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V
LBSS138LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW N–Channel

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