LP2301ELT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: LP2301ELT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

LP2301ELT1G 型号参数

LP2301ELT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子体温计探头、血糖仪、触摸屏、 B超机、 OLED显示屏，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子词典、摄像头、电子手表、整流器、无人机、指纹识别器、电子美容仪、投影仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LP4101LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
LP3218DT1G	MOS管 P-channel Id=8.2A VDS=12V DFN6_2X2MM
LP3401LT1G	30V P沟道增强型MOSFET
LN2312LT1G	20V N沟道增强型MOSFET
LP3407LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W
LP9435LT1G	30V 5.3A 50mΩ@10V,5.3A 1.4W 3V@250uA 51pF@15V P Channel 644pF@15V 10nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
LBSS84WT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
L2N7002SDW1T1G	2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW
SRK7002LT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω SOT23
L2SK3018WT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70

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