LP2301ELT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: LP2301ELT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

LP2301ELT1G 型号参数

LP2301ELT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如交流电源、电子咖啡机、手机、气体报警器、电子空气净化器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子血压计袖带、摄像机、电磁炉、集成电路板、电子书阅读器、电子琴、心电图仪、电子除螨仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LN4812LT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23
L2SK801LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V
LBSS139WT1G	MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5.6@2.75V SOT323
L2N7002KDW1T1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=380A RDS(ON)=2.7mΩ@5V SOT363
LN2312LT1G	20V N沟道增强型MOSFET
LP3407LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W
LP3415ELT1G	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=85mΩ@1.8V SOT23
LBSS260DW1T1G	60V 0.2A 380mW 1.44Ω@10V,500mA 1V@250uA SC-88
L2N7002SDW1T1G	2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW
LP3218DT1G	MOS管 P-channel Id=8.2A VDS=12V DFN6_2X2MM

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