LBSS139LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: LBSS139LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

LBSS139LT1G 型号参数

LBSS139LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如血糖仪、数字信号处理器（DSP）、固态硬盘、 LED显示器、气体报警器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子搅拌器、 LCD显示屏、摩托车、扬声器、扫描仪、电子琴、电子门禁卡、视频线材等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LN2312LT1G	20V N沟道增强型MOSFET
LP4101LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
LSI1013XT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：250mW
LN2302LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
L2SK3018WT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70
L2N7002LT1G	MOSFETs N-Channel VDSS=60V PD=225mW ID=500mA SOT23
LBSS84ELT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
LSI1012LT1G	20V 0.5A 225mW 700mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel SOT-23-3L
LP0404N3T5G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V
L2N7002SLT1G	SOT23 SMT 60V N–Channel

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