LBSS139LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: LBSS139LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

LBSS139LT1G 型号参数

LBSS139LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如手机充电器、投影仪、电子书阅读器、电视机、机器人，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 LED照明灯、数码相机、视频线材、 LED显示器、移动硬盘、智能手表、显示器、电子除螨仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LN4812LT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23
LN2502LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A
LN2302BLT1G	20V N沟道增强型MOSFET
LBSS260DW1T1G	60V 0.2A 380mW 1.44Ω@10V,500mA 1V@250uA SC-88
LBSS138LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW N–Channel
LP3401LT1G	30V P沟道增强型MOSFET
L2N7002KLT1G	MOSFETs N-沟道 Vdss=60V Id@25℃=320mA SOT23
L2SK801LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V
LP4101LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
S-L2N7002SLT1G	S-L2N7002SLT1G

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