LN2302BLT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: LN2302BLT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

LN2302BLT1G 型号参数

LN2302BLT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如功放设备、模拟信号处理器（ASP）、 CT扫描仪、电子门禁卡、电子阅读器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如机器人、 X光机、射频连接器、交换机、电子美容仪、智能手机、机械硬盘、模拟信号处理器（ASP）等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
L2N7002KDW1T1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=380A RDS(ON)=2.7mΩ@5V SOT363
LBSS84ELT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
LP3415ELT1G	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=85mΩ@1.8V SOT23
LBSS139LT1G	50V 0.2A 225mW 3.5Ω@5V,200mA 1.5V N Channel SOT-23
LN4812LT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23
LP3218DT1G	MOS管 P-channel Id=8.2A VDS=12V DFN6_2X2MM
LBSS260DW1T1G	60V 0.2A 380mW 1.44Ω@10V,500mA 1V@250uA SC-88
LN2312LT1G	20V N沟道增强型MOSFET
L2N7002LT1G	MOSFETs N-Channel VDSS=60V PD=225mW ID=500mA SOT23
LN2302LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW

型号相关

热门型号