LN2312LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: LN2312LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

LN2312LT1G 型号参数

LN2312LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 MRI扫描仪、光纤连接器、逆变器、电子美容仪、安防监控系统，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子榨汁机、调制解调器、电路板、吉他效果器、智能照明系统、触摸屏、电子琴、电子签到系统等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LP4101LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
LBSS84ELT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
LBSS139WT1G	MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5.6@2.75V SOT323
LBSS138LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW N–Channel
L2SK801LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V
L2N7002KLT1G	MOSFETs N-沟道 Vdss=60V Id@25℃=320mA SOT23
LN2306LT1G	30V N沟道增强型MOSFET
SRK7002LT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω SOT23
LN2312LT1G	20V N沟道增强型MOSFET
LP3443LT1G	20V P沟道增强型MOSFET

型号相关

热门型号