L2N7002KLT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: L2N7002KLT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

L2N7002KLT1G 型号参数

L2N7002KLT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如频谱分析仪、 3D打印机、电子净水器、路由器、不间断电源（UPS），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如汽车电子控制系统、无人机、直流电源、电子门锁、 LCD显示屏、智能家居控制器、计算机、单片机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LP9435LT1G	30V 5.3A 50mΩ@10V,5.3A 1.4W 3V@250uA 51pF@15V P Channel 644pF@15V 10nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
L2N7002KDW1T1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=380A RDS(ON)=2.7mΩ@5V SOT363
L2N7002SLT1G	SOT23 SMT 60V N–Channel
LBSS84ELT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
L2SK3018WT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70
LSI1012N3T5G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW
LN2302BLT1G	20V N沟道增强型MOSFET
LP2301LT1G	20V P沟道增强型MOSFET
LSI1012LT1G	20V 0.5A 225mW 700mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel SOT-23-3L
LN2302LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW

型号相关

热门型号