L2N7002KLT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: L2N7002KLT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

L2N7002KLT1G 型号参数

L2N7002KLT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子翻译器、电子词典、万用表、示波器、 CT扫描仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如蓝牙音箱、智能家居控制器、网卡、烟雾报警器、电子灭蚊灯、调音台、蓝牙耳机、触摸屏等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SRK7002LT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω SOT23
LN2502LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A
LP2301ELT1G	MOSFETs P-CH 20V 2.8A 110mΩ@4.5V,2.8A SOT23
S-L2N7002SLT1G	S-L2N7002SLT1G
L2N7002SLT1G	SOT23 SMT 60V N–Channel
LSI1012XT1G	20V 0.5A 250mW 410mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel 750pC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SC-89
LP3415ELT1G	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=85mΩ@1.8V SOT23
LP2301LT1G	20V P沟道增强型MOSFET
LBSS139WT1G	MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5.6@2.75V SOT323
LSI1013XT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：250mW

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