L2SK3018WT1G_LRC_乐山无线电_SOT-323(SC-70)_MOSFETs

Name: L2SK3018WT1G_LRC_乐山无线电_SOT-323(SC-70)_MOSFETs
Brand: LRC

L2SK3018WT1G 型号参数

L2SK3018WT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能手表、智能家居控制器、交流电源、网卡、音频功率放大器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子门锁、智能家居控制系统、交流电源、电子除湿机、蓝牙耳机、电子体重秤、摄像头、示波器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LBSS84WT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
LBSS138LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW N–Channel
LBSS139WT1G	MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5.6@2.75V SOT323
LN2312LT1G	20V N沟道增强型MOSFET
LN4501LTIG	20 V, 3.2 A, Single N−Channel,SOT−23
L2N7002WT1G	小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70
S-L2N7002SLT1G	S-L2N7002SLT1G
LSI1012N3T5G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW
LP2301LT1G	20V P沟道增强型MOSFET
L2SK801LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V

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