L2N7002WT1G_LRC_乐山无线电_SOT-323_MOSFETs

Name: L2N7002WT1G_LRC_乐山无线电_SOT-323_MOSFETs
Brand: LRC

L2N7002WT1G 型号参数

L2N7002WT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能安防摄像头、扫描仪、血糖仪、汽车电子控制系统、游戏机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如微处理器、平板电脑、声卡、变压器、视频线材、电子除湿机、移动硬盘、直流电源等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LN2306LT1G	30V N沟道增强型MOSFET
LBSS84LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW P–Channel
LP9435LT1G	30V 5.3A 50mΩ@10V,5.3A 1.4W 3V@250uA 51pF@15V P Channel 644pF@15V 10nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
L2N7002KLT1G	MOSFETs N-沟道 Vdss=60V Id@25℃=320mA SOT23
LN4501LTIG	20 V, 3.2 A, Single N−Channel,SOT−23
LSI1012XT1G	20V 0.5A 250mW 410mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel 750pC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SC-89
L2SK3018WT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70
LBSS84WT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
LN2302LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
LP4101LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW

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