L2N7002WT1G_LRC_乐山无线电_SOT-323_MOSFETs

Name: L2N7002WT1G_LRC_乐山无线电_SOT-323_MOSFETs
Brand: LRC

L2N7002WT1G 型号参数

L2N7002WT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如音响设备、蓝牙音箱、电子血压手环、心电图仪、笔记本电脑，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如微波炉、逆变器、现场可编程门阵列（FPGA）、移动硬盘、电子琴、 MP4播放器、电子阅读器、电子加湿器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LP2301ELT1G	MOSFETs P-CH 20V 2.8A 110mΩ@4.5V,2.8A SOT23
LBSS260DW1T1G	60V 0.2A 380mW 1.44Ω@10V,500mA 1V@250uA SC-88
LN2306LT1G	30V N沟道增强型MOSFET
LP3415ELT1G	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=85mΩ@1.8V SOT23
L2N7002KLT1G	MOSFETs N-沟道 Vdss=60V Id@25℃=320mA SOT23
LN2302BLT1G	20V N沟道增强型MOSFET
LSI1012LT1G	20V 0.5A 225mW 700mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel SOT-23-3L
LP4101LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
L2N7002KDW1T1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=380A RDS(ON)=2.7mΩ@5V SOT363
LBSS84WT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW

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