L2N7002WT1G_LRC_乐山无线电_SOT-323_MOSFETs

L2N7002WT1G 型号参数

L2N7002WT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能音箱、电视机、电子除湿机、汽车、血糖仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
S-L2N7002SLT1G	S-L2N7002SLT1G
L2N7002WT1G	小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70
LN2502LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A
L2N7002LT1G	MOSFETs N-Channel VDSS=60V PD=225mW ID=500mA SOT23
LP0404N3T5G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V
L2N7002KLT1G	MOSFETs N-沟道 Vdss=60V Id@25℃=320mA SOT23
LP9435LT1G	30V 5.3A 50mΩ@10V,5.3A 1.4W 3V@250uA 51pF@15V P Channel 644pF@15V 10nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
LN4812LT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23
LN2302LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
LBSS260DW1T1G	60V 0.2A 380mW 1.44Ω@10V,500mA 1V@250uA SC-88

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