LSI1012XT1G_LRC_乐山无线电_SC89_MOSFETs

LSI1012XT1G 型号参数

LSI1012XT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如门禁系统、智能手环、录像机、电子签到系统、电子计算器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：LSI1012XT1G
品牌：乐山无线电(LRC)
分类：MOSFETs
参数：20V 0.5A 250mW 410mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel 750pC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SC-89

型号	参数
LP3401LT1G	30V P沟道增强型MOSFET
LBSS138LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW N–Channel
LN4812LT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23
LP3415ELT1G	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=85mΩ@1.8V SOT23
L2N7002KLT1G	MOSFETs N-沟道 Vdss=60V Id@25℃=320mA SOT23
L2SK801LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V
S-L2N7002SLT1G	S-L2N7002SLT1G
LP0404N3T5G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V
L2N7002DW1T1G	MOSFETs Dual N-channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA SOT363-6
LBSS84ELT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW

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