LN2306LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: LN2306LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

LN2306LT1G 型号参数

LN2306LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子血压计、电子阅读器、电路板、 OLED显示屏、集成电路板，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如吉他效果器、烤箱、扫描仪、手机、数字信号处理器（DSP）、电动自行车控制器、固态硬盘、电子门锁等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
L2N7002SDW1T1G	2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW
L2SK3018WT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70
LBSS84LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW P–Channel
LP2301ELT1G	MOSFETs P-CH 20V 2.8A 110mΩ@4.5V,2.8A SOT23
LBSS84WT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
LP3401LT1G	30V P沟道增强型MOSFET
LBSS260DW1T1G	60V 0.2A 380mW 1.44Ω@10V,500mA 1V@250uA SC-88
L2SK801LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V
SRK7002LT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω SOT23
LN2306LT1G	30V N沟道增强型MOSFET

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