LN2306LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: LN2306LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

LN2306LT1G 型号参数

LN2306LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如信号发生器、虚拟现实头盔、手机充电器、 OLED显示屏、 B超机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子脱毛器、逻辑分析仪、耳机、汽车、虚拟现实头盔、智能插座、扫地机器人、 LCD显示屏等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
S-L2N7002SLT1G	S-L2N7002SLT1G
LP3407LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W
LBSS84WT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
L2N7002SLT1G	SOT23 SMT 60V N–Channel
LBSS123LT1G	SOT23 SMT 100V
L2N7002KLT1G	MOSFETs N-沟道 Vdss=60V Id@25℃=320mA SOT23
LP2301ELT1G	MOSFETs P-CH 20V 2.8A 110mΩ@4.5V,2.8A SOT23
LP3415ELT1G	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=85mΩ@1.8V SOT23
LP9435LT1G	30V 5.3A 50mΩ@10V,5.3A 1.4W 3V@250uA 51pF@15V P Channel 644pF@15V 10nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
LN2306LT1G	30V N沟道增强型MOSFET

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