L2N7002DW1T1G_LRC_乐山无线电_SOT-363_MOSFETs

Name: L2N7002DW1T1G_LRC_乐山无线电_SOT-363_MOSFETs
Brand: LRC

L2N7002DW1T1G 型号参数

L2N7002DW1T1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能手表、电子温度计、电子白板、网络适配器、路由器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电饭煲、电子门锁、饮水机、电子翻译器、电动车、电子体温计探头、电子净水器、热水器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
L2N7002SDW1T1G	2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW
LBSS84LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW P–Channel
L2N7002SLT1G	SOT23 SMT 60V N–Channel
LP2301ELT1G	MOSFETs P-CH 20V 2.8A 110mΩ@4.5V,2.8A SOT23
L2SK801LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V
LBSS139LT1G	50V 0.2A 225mW 3.5Ω@5V,200mA 1.5V N Channel SOT-23
LP2301LT1G	20V P沟道增强型MOSFET
LN2306LT1G	30V N沟道增强型MOSFET
LN2302BLT1G	20V N沟道增强型MOSFET
LP3407LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W

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