L2SK801LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

L2SK801LT1G 型号参数

L2SK801LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如录像机、实验室离心机、功放设备、 MP4播放器、电子空气净化器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：L2SK801LT1G
品牌：乐山无线电(LRC)
分类：MOSFETs
参数：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V

型号	参数
LBSS139WT1G	MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5.6@2.75V SOT323
LP2301ELT1G	MOSFETs P-CH 20V 2.8A 110mΩ@4.5V,2.8A SOT23
LN4812LT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23
LP3443LT1G	20V P沟道增强型MOSFET
L2SK801LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V
L2N7002DW1T1G	MOSFETs Dual N-channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA SOT363-6
LP9435LT1G	30V 5.3A 50mΩ@10V,5.3A 1.4W 3V@250uA 51pF@15V P Channel 644pF@15V 10nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
L2N7002WT1G	小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70
L2N7002KDW1T1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=380A RDS(ON)=2.7mΩ@5V SOT363
LN2502LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A

型号相关

热门型号