LP3443LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: LP3443LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

LP3443LT1G 型号参数

LP3443LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子搅拌器、单片机、电子气压计、 X光机、电子按摩器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子除螨仪、电饭煲、数字信号处理器（DSP）、 LCD显示屏、 3D打印机、整流器、安防监控系统、功放设备等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LN4812LT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23
LP3443LT1G	20V P沟道增强型MOSFET
LP0404N3T5G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V
LSI1012LT1G	20V 0.5A 225mW 700mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel SOT-23-3L
LN2302BLT1G	20V N沟道增强型MOSFET
LP2301LT1G	20V P沟道增强型MOSFET
L2N7002SLT1G	SOT23 SMT 60V N–Channel
LP9435LT1G	30V 5.3A 50mΩ@10V,5.3A 1.4W 3V@250uA 51pF@15V P Channel 644pF@15V 10nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
LP2301ELT1G	MOSFETs P-CH 20V 2.8A 110mΩ@4.5V,2.8A SOT23
LBSS84ELT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW

型号相关

热门型号