LP3218DT1G_LRC_乐山无线电_DFN6_2X2MM_EP_MOSFETs

Name: LP3218DT1G_LRC_乐山无线电_DFN6_2X2MM_EP_MOSFETs
Brand: LRC

LP3218DT1G 型号参数

LP3218DT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如手机充电器、指纹识别器、电子加湿器、吉他效果器、血糖仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 B超机、台式电脑主机、电子翻译器、电子门禁卡、路由器、射频连接器、电子书阅读器、变压器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LBSS139LT1G	50V 0.2A 225mW 3.5Ω@5V,200mA 1.5V N Channel SOT-23
LP3415ELT1G	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=85mΩ@1.8V SOT23
LN2302BLT1G	20V N沟道增强型MOSFET
LN4501LTIG	20 V, 3.2 A, Single N−Channel,SOT−23
LBSS139WT1G	MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5.6@2.75V SOT323
LSI1013XT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：250mW
L2SK801LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V
LN4812LT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23
LP0404N3T5G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V
LBSS84WT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW

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