LP3218DT1G_LRC_乐山无线电_DFN6_2X2MM_EP_MOSFETs

Name: LP3218DT1G_LRC_乐山无线电_DFN6_2X2MM_EP_MOSFETs
Brand: LRC

LP3218DT1G 型号参数

LP3218DT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如烟雾报警器、电子搅拌器、音频线材、电子血压计、蓝牙耳机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能手环、智能安防摄像头、电子广告牌、计算机、智能照明系统、电子秤、电子门锁、电动工具等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LBSS123LT1G	SOT23 SMT 100V
LN2306LT1G	30V N沟道增强型MOSFET
LP2307LT1G	MOSFET 16V 4.7A 70mΩ@4.5V,4.7A 1.1W 1.4V@250uA P Channel SOT-23
LSI1012LT1G	20V 0.5A 225mW 700mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel SOT-23-3L
LBSS139LT1G	50V 0.2A 225mW 3.5Ω@5V,200mA 1.5V N Channel SOT-23
LP2301ELT1G	MOSFETs P-CH 20V 2.8A 110mΩ@4.5V,2.8A SOT23
LP0404N3T5G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V
LP3443LT1G	20V P沟道增强型MOSFET
L2N7002KDW1T1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=380A RDS(ON)=2.7mΩ@5V SOT363
LP3218DT1G	MOS管 P-channel Id=8.2A VDS=12V DFN6_2X2MM

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