LP3218DT1G_LRC_乐山无线电_DFN6_2X2MM_EP_MOSFETs

Name: LP3218DT1G_LRC_乐山无线电_DFN6_2X2MM_EP_MOSFETs
Brand: LRC

LP3218DT1G 型号参数

LP3218DT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如手机充电器、电动车充电器、电子书阅读器、智能安防摄像头、吉他效果器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如逆变器、信号发生器、手机、专用集成电路（ASIC）、网络适配器、机器人、电子体温计探头、冰箱等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LSI1012N3T5G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW
LP3443LT1G	20V P沟道增强型MOSFET
LBSS84ELT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
LP2301ELT1G	MOSFETs P-CH 20V 2.8A 110mΩ@4.5V,2.8A SOT23
L2N7002SDW1T1G	2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW
L2N7002LT1G	MOSFETs N-Channel VDSS=60V PD=225mW ID=500mA SOT23
LP0404N3T5G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V
L2N7002DW1T1G	MOSFETs Dual N-channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA SOT363-6
LBSS139WT1G	MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5.6@2.75V SOT323
L2SK3018WT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70

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