LBSS123LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: LBSS123LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

LBSS123LT1G 型号参数

LBSS123LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如吉他效果器、实验室离心机、平板电脑、智能家居控制系统、万用表，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子门禁卡、 MP3播放器、汽车、电动车充电器、 RFID读写器、摄像机、智能家居控制系统、电子游戏机手柄等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LN4501LTIG	20 V, 3.2 A, Single N−Channel,SOT−23
LP2301LT1G	20V P沟道增强型MOSFET
LN2302LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
LP9435LT1G	30V 5.3A 50mΩ@10V,5.3A 1.4W 3V@250uA 51pF@15V P Channel 644pF@15V 10nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
LP4101LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
LBSS139WT1G	MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5.6@2.75V SOT323
L2N7002SDW1T1G	2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW
L2N7002LT1G	MOSFETs N-Channel VDSS=60V PD=225mW ID=500mA SOT23
LN4812LT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23
LN2306LT1G	30V N沟道增强型MOSFET

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