LBSS123LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: LBSS123LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

LBSS123LT1G 型号参数

LBSS123LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 DVD播放器、 LED照明灯、电子烤箱温度计、平板电脑、变压器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如气体报警器、电子湿度计、万用表、手机、集成电路板、智能家居控制系统、电子白板、遥控器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
L2N7002DW1T1G	MOSFETs Dual N-channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA SOT363-6
LP9435LT1G	30V 5.3A 50mΩ@10V,5.3A 1.4W 3V@250uA 51pF@15V P Channel 644pF@15V 10nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
SRK7002LT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω SOT23
LP2307LT1G	MOSFET 16V 4.7A 70mΩ@4.5V,4.7A 1.1W 1.4V@250uA P Channel SOT-23
LN2312LT1G	20V N沟道增强型MOSFET
L2N7002WT1G	小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70
LN2306LT1G	30V N沟道增强型MOSFET
LBSS138LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW N–Channel
LP4101LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
LBSS84ELT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW

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