LBSS123LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: LBSS123LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

LBSS123LT1G 型号参数

LBSS123LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如投影仪、手机充电器、空调、台式电脑主机、扫地机器人，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如虚拟现实头盔、冰箱、电子除螨仪、摄像头、门禁系统、电子温度计、台式电脑主机、机械硬盘等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LP4101LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
L2SK3018WT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70
L2N7002LT1G	MOSFETs N-Channel VDSS=60V PD=225mW ID=500mA SOT23
LN2302BLT1G	20V N沟道增强型MOSFET
LP2301ELT1G	MOSFETs P-CH 20V 2.8A 110mΩ@4.5V,2.8A SOT23
LBSS84LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW P–Channel
LP0404N3T5G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V
L2N7002KLT1G	MOSFETs N-沟道 Vdss=60V Id@25℃=320mA SOT23
LN4812LT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23
LN2502LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A

型号相关

热门型号