LP4101LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: LP4101LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

LP4101LT1G 型号参数

LP4101LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子按摩器、 LED显示器、电动工具、电子手表、智能手环，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 USB闪存盘、电子琴、计算机、整流器、电子游戏机手柄、电动自行车控制器、电子气压计、电子体重秤等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LP3218DT1G	MOS管 P-channel Id=8.2A VDS=12V DFN6_2X2MM
LN4812LT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23
LN2302BLT1G	20V N沟道增强型MOSFET
S-L2N7002SLT1G	S-L2N7002SLT1G
L2N7002SLT1G	SOT23 SMT 60V N–Channel
LBSS84LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW P–Channel
LP3401LT1G	30V P沟道增强型MOSFET
LP9435LT1G	30V 5.3A 50mΩ@10V,5.3A 1.4W 3V@250uA 51pF@15V P Channel 644pF@15V 10nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
LBSS139LT1G	50V 0.2A 225mW 3.5Ω@5V,200mA 1.5V N Channel SOT-23
L2SK801LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V

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