L2N7002SLT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: L2N7002SLT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

L2N7002SLT1G 型号参数

L2N7002SLT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子搅拌器、话筒（麦克风）、 USB闪存盘、 MP4播放器、万用表，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如射频连接器、功放设备、电子搅拌器、电子气压计、 USB闪存盘、微处理器、整流器、计算机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SRK7002LT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω SOT23
LN4812LT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23
L2SK3018WT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70
LP3401LT1G	30V P沟道增强型MOSFET
LBSS138LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW N–Channel
LP9435LT1G	30V 5.3A 50mΩ@10V,5.3A 1.4W 3V@250uA 51pF@15V P Channel 644pF@15V 10nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
LP0404N3T5G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V
LP3218DT1G	MOS管 P-channel Id=8.2A VDS=12V DFN6_2X2MM
LSI1012N3T5G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW
L2N7002SDW1T1G	2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW

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