LBSS84WT1G_LRC_乐山无线电_SOT-323_MOSFETs

Name: LBSS84WT1G_LRC_乐山无线电_SOT-323_MOSFETs
Brand: LRC

LBSS84WT1G 型号参数

LBSS84WT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能手机、电子血压计、电子手表、电子秤、调音台，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子游戏机手柄、 MP3播放器、固态硬盘、交流电源、耳机、虚拟现实头盔、电子气压计、 RFID读写器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LBSS138LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW N–Channel
L2SK801LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V
LSI1012N3T5G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW
LP0404N3T5G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V
LP4101LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
L2SK3018WT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70
LP3407LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W
L2N7002SLT1G	SOT23 SMT 60V N–Channel
LBSS260DW1T1G	60V 0.2A 380mW 1.44Ω@10V,500mA 1V@250uA SC-88
L2N7002WT1G	小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70

型号相关

热门型号