LSI1012N3T5G_LRC_乐山无线电_SOT883_MOSFETs

Name: LSI1012N3T5G_LRC_乐山无线电_SOT883_MOSFETs
Brand: LRC

LSI1012N3T5G 型号参数

LSI1012N3T5G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 MP4播放器、电子助听器、电饭煲、电路板、红外感应器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 LED照明灯、电子搅拌器、打印机、电源供应器、电子助听器、 MP4播放器、电子血压计、 LCD显示屏等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LN2502LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A
LSI1012N3T5G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW
LBSS84LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW P–Channel
LSI1012XT1G	20V 0.5A 250mW 410mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel 750pC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SC-89
LBSS138LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW N–Channel
LN2306LT1G	30V N沟道增强型MOSFET
L2N7002WT1G	小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70
LP3407LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W
LN4501LTIG	20 V, 3.2 A, Single N−Channel,SOT−23
LP3443LT1G	20V P沟道增强型MOSFET

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