LBSS138LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: LBSS138LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

LBSS138LT1G 型号参数

LBSS138LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如汽车、电子脱毛器、变压器、内存条、音响系统，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子榨汁机、电动车、光纤连接器、电子厨房计时器、电子广告牌、视频线材、复印机、红外感应器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
L2SK801LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V
L2N7002WT1G	小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70
L2SK3018WT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70
LP3407LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W
LBSS123LT1G	SOT23 SMT 100V
S-L2N7002SLT1G	S-L2N7002SLT1G
L2N7002SLT1G	SOT23 SMT 60V N–Channel
LBSS260DW1T1G	60V 0.2A 380mW 1.44Ω@10V,500mA 1V@250uA SC-88
LBSS84ELT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
LSI1012LT1G	20V 0.5A 225mW 700mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel SOT-23-3L

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