S-L2N7002SLT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23(TO-236)_MOSFETs

S-L2N7002SLT1G 型号参数

S-L2N7002SLT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如手机、计算机、内存条、烤箱、智能家居控制器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
L2N7002KLT1G	MOSFETs N-沟道 Vdss=60V Id@25℃=320mA SOT23
LP3218DT1G	MOS管 P-channel Id=8.2A VDS=12V DFN6_2X2MM
LSI1012N3T5G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW
LBSS84WT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
L2N7002SDW1T1G	2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW
LP2301ELT1G	MOSFETs P-CH 20V 2.8A 110mΩ@4.5V,2.8A SOT23
SRK7002LT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω SOT23
LP9435LT1G	30V 5.3A 50mΩ@10V,5.3A 1.4W 3V@250uA 51pF@15V P Channel 644pF@15V 10nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
LP3415ELT1G	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=85mΩ@1.8V SOT23
LN4812LT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23

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