LP2301LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: LP2301LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

LP2301LT1G 型号参数

LP2301LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如红外感应器、电子助听器、遥控器、电子书阅读器、液晶显示器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子门锁、路由器、可编程逻辑控制器（PLC）、电子计算器、 3D打印机、 CT扫描仪、 USB闪存盘、电子加湿器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LN2302LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
LSI1012XT1G	20V 0.5A 250mW 410mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel 750pC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SC-89
LSI1013XT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：250mW
LP3218DT1G	MOS管 P-channel Id=8.2A VDS=12V DFN6_2X2MM
LN4812LT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23
LBSS139LT1G	50V 0.2A 225mW 3.5Ω@5V,200mA 1.5V N Channel SOT-23
LN2312LT1G	20V N沟道增强型MOSFET
SRK7002LT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω SOT23
L2N7002SLT1G	SOT23 SMT 60V N–Channel
LP3407LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W

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