NCE6003M_NCE_无锡新功率_SOT89-3_MOSFETs

NCE6003M 型号参数

NCE6003M是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如烟雾报警器、智能安防摄像头、复印机、 CT扫描仪、无线网卡，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
NCE0110AK	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;
NCE7560K	N沟道漏源电压(Vdss)：75V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：140W
NCEP1545G	MOS管 N-channel Id=40A VDS=150V DFN8_5X6MM_EP
NCEP60T15G	MOSFETs 1个N沟道耐压:60V 电流:150A DFN8_5X6MM
NCE6005AR	N沟道增强型功率MOSFET SOT223-3L
NCE6012AS	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W
NCE3050	N沟道增强型功率MOSFET
NCE3018AS	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A SOP8_150MIL
NCE2312	N沟道增强型功率MOSFET
NCEP0178A	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：78A 功率(Pd)：125W TO220-3L

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