NCE60P82AK_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

NCE60P82AK 型号参数

NCE60P82AK是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能门锁、智能手机、电子温度计、电磁炉、数码相机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
NCE4606	MOS管 N+P Channel VDS=30V VGS=±20V SOP8
NCE0224K	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：24A 功率(Pd)：150W
NCE01H10D	N-沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W
NCE8295AD	MOS管 N-Channel VDS=82V VGS=±20V ID=95A RDS(ON)=8mΩ@10V TO263-2L
NCE3010S	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=10A SO8_150MIL
NCE60ND18G	N沟道增强型功率MOSFET VDS=60V ID=18A DFN8_4.9X5.75MM_EP
NCE3420	N沟道增强型功率MOSFET
NCE3020Q	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：20W
NCEP078N10G	VDS =100V,ID =75A RDS(ON)=7.4mΩ
NCEP85T16	N沟道漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：160A 功率(Pd)：220W TO220-3L

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