NCE60P82AK_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: NCE60P82AK_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: NCE

NCE60P82AK 型号参数

NCE60P82AK是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子门禁卡、 CT扫描仪、电子秤、冰箱、人脸识别设备，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子广告牌、音响设备、 RFID读写器、光纤连接器、固态硬盘、吉他效果器、电子净水器、微处理器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE60P25K	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：90W
NCE30H12	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W
NCEP60T18	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：220W TO220-3L
NCE30H10	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：110W TO220-3L
NCE40P05Y	P沟道 Vdss=40V Id=5.3A Pd=2W
NCEP85T16	N沟道漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：160A 功率(Pd)：220W TO220-3L
NCE30ND09S	N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=9A P=2W
NCE01ND03S	双N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=3A P=2W
NCE3420	N沟道增强型功率MOSFET
NCE3407	P沟道增强型功率MOSFET

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