NCE60ND18G_NCE_无锡新功率_DFN8_4.9X5.75MM_EP_MOSFETs

Name: NCE60ND18G_NCE_无锡新功率_DFN8_4.9X5.75MM_EP_MOSFETs
Brand: NCE

NCE60ND18G 型号参数

NCE60ND18G是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如音响系统、电子厨房计时器、血糖仪、笔记本电脑、汽车电子控制系统，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如固态硬盘、微波炉、安防监控系统、手机、智能门锁、电子秤、烤箱、网络适配器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE6020AK	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：45W
NCEP60T12AK	MOSFETs VDS=60V VGS=±20V ID=120A PD=180W TO252-2
NCE70T360F	N沟道漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
NCEP035N85GU	NCEP035N85GU
NCE7560K	N沟道漏源电压(Vdss)：75V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：140W
NCE2309	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=1.6A RDS(ON)=190mΩ@10V SOT23
NCE0103Y	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT23-3L
NCEP078N10G	VDS =100V,ID =75A RDS(ON)=7.4mΩ
NCE80H12D	MOSFETs N-Channel Vdss：80V Id：120A Pd：220W
NCE4009S	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2W

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