NCE7560K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: NCE7560K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: NCE

NCE7560K 型号参数

NCE7560K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如不间断电源（UPS）、 USB闪存盘、智能手机、智能家居控制系统、扫描仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如无人机、 LED照明灯、音频信号处理器、蓝牙音箱、血糖仪、 RFID读写器、虚拟现实头盔、不间断电源（UPS）等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE8295AD	MOS管 N-Channel VDS=82V VGS=±20V ID=95A RDS(ON)=8mΩ@10V TO263-2L
NCE6003X	MOSFETs N-沟道 SOT23-3 Vds=60V Id=3A Pd=1.7W
2N7002K	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW
NCE0205IA	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：78W
NCE9926	2个N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.25W
NCE2060K	NCE N沟道增强型功率MOSFET
NCE2303	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W
NCEP85T11	N沟道漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：145W
NCEP078N10G	VDS =100V,ID =75A RDS(ON)=7.4mΩ
NCE3404	N沟道增强型功率MOSFET

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