NCE7560K是品牌NCE无锡新功率,研发制造的MOSFETs产品型号,是电路的基本组成部分,该型号可应用很多设备,如 指纹识别器、 智能门锁、 电子血压计、 游戏机、 安防监控系统 ,MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号:NCE7560K
- 品牌:无锡新功率(NCE)
- 分类:MOSFETs
- 参数:N沟道 漏源电压(Vdss):75V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):140W
应用场景
MOSFETs可应用场景,如 游戏机、 电动自行车、 射频连接器、 电子助听器、 LCD显示屏、 打印机、 吉他效果器、 MP4播放器 等,想要了解更多MOSFETs相关内容知识,可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE40H12 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE3407 | P沟道增强型功率MOSFET |
| NCE70T360F | N沟道 漏源电压(Vdss):700V 连续漏极电流(Id):11.5A 功率(Pd):32.6W |
| NCE0110K | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L |
| NCE4606 | MOS管 N+P Channel VDS=30V VGS=±20V SOP8 |
| NCE3020Q | N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):20W |
| NCEP60T12AK | MOSFETs VDS=60V VGS=±20V ID=120A PD=180W TO252-2 |
| NCE3025Q | N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):25A 功率(Pd):25W |
| NCE30P30K | P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):30A 功率(Pd):60W |
| NCE2302 | N沟道增强型功率MOSFET |