SIS412DN-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAK1212-8_MOSFETs

Name: SIS412DN-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAK1212-8_MOSFETs
Brand: Vishay

SIS412DN-T1-GE3 型号参数

SIS412DN-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子秤、电子按摩器、数码相机、电子手表、电子气压计，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子空气净化器、电子榨汁机、 CT扫描仪、电子助听器、录像机、电动车、功放器、 DVD播放器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI4401DDY-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10.2A RDS(ON)=15mΩ@10V SOIC8_150MIL
SI4848DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 150 V 2.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SOIC
IRFU320PBF	通孔 N 通道 400 V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
SI4909DY-T1-GE3	MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
IRFR014TRLPBF	表面贴装型 N 通道 60 V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
SIA931DJ-T1-GE3	MOSFET PowerPAK SC70-6 Dual P-Channel ID=4.5A
SIR876ADP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 40A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK® SO-8
SI7232DN-T1-GE3	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=10A RDS(ON)=16.4mΩ@4.5V PowerPAK® 1212-8
SQ2389ES-T1_GE3	表面贴装型 P 通道 40 V 4.1A（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SI4202DY-T1-GE3	MOSFETDual N-Channel VDS=30V ID=12.1A PD=3.7W SOIC8_150MIL

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