SIS412DN-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAK1212-8_MOSFETs

SIS412DN-T1-GE3 型号参数

SIS412DN-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能音箱、平板电脑、 GPS定位器、数字信号处理器（DSP）、智能安防摄像头，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
IRF640PBF	通孔 N 通道 200 V 18A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
SQ2325ES-T1_GE3	表面贴装型 P 通道 150 V 840mA（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SIA931DJ-T1-GE3	MOSFET PowerPAK SC70-6 Dual P-Channel ID=4.5A
SQ2362ES-T1_GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=68mΩ@10V SOT23-3
SI7454DDP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 21A（Tc） 4.1W（Ta），29.7W（Tc） PowerPAK® SO-8
SIR882ADP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=17.6A RDS(ON)=8.7mΩ@10V
IRFI640GPBF	通孔 N 通道 200 V 9.8A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
SI3590DV-T1-E3	MOSFET TSOP6 N + P-Channel ID=3A，ID=2A
IRF9540PBF	通孔 P 通道 100 V 19A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
IRFD120PBF	通孔 N 通道 100 V 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-HVMDIP

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