2SK3476(TE12L_Q_Toshiba_东芝_5N1A-2_MOSFETs

Name: 2SK3476(TE12L_Q_Toshiba_东芝_5N1A-2_MOSFETs
Brand: Toshiba

2SK3476(TE12L,Q 型号参数

2SK3476(TE12L,Q是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如血糖仪、电子翻译器、笔记本电脑、电子阅读器、网络适配器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如移动硬盘、打印机、电子助听器、门禁系统、网卡、人脸识别设备、 CT扫描仪、智能安防摄像头等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SSM3K37MFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM3J356R,LF	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@1mA
SSM3K345R,LF	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23F
SSM3K324R,LF(T	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT23F
SSM3K15AFS,LF(B	东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U-MOS III）
SSM3J332R,LF(T	表面贴装型 P 通道 30 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
SSM3J332R,LF	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：42mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@1mA
SSM3K35MFV(TPL3)	High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications
2SK3569	MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=10A RDS(ON)=750mΩ@10V TO220F
SSM3J56MFV,L3F(T	Load Switching Applications

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