NTMFS4C302NT1G_ON_安森美_DFN5_4.9X5.9MM_MOSFETs

Name: NTMFS4C302NT1G_ON_安森美_DFN5_4.9X5.9MM_MOSFETs
Brand: ON

NTMFS4C302NT1G 型号参数

NTMFS4C302NT1G是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如功放器、电子门锁、微波炉、电动工具、逆变器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如网卡、烤箱、遥控器、机械硬盘、虚拟现实头盔、 MP4播放器、液晶显示器、电子搅拌器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NTD5805NT4G	MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=51A RDS(ON)=9.5mΩ@10V TO252
2V7002LT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω@10V SOT23-3
FQA140N10	通孔 N 通道 100 V 140A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
FDPF20N50FT	通孔 N 通道 500 V 20A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F-3
FCD5N60TM	表面贴装型 N 通道 600 V 4.6A（Tc） 54W（Tc） TO-252AA
NTJD4001NT1G	MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=1.5Ω@4V SOT363
NDS9948	MOS管 Dual P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.3A RDS(ON)=250mΩ@10V SOIC8_150MIL
NTA4151PT1G	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA
FDMC6686P	表面贴装型 P 通道 20 V 18A（Ta），56A（Tc） 2.3W（Ta），40W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
FDG6303N	数字FET，双N沟道 VDS=25V ID=0.5A PD=0.3W SOT363

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