LP2307LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: LP2307LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

LP2307LT1G 型号参数

LP2307LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如游戏机、电子琴、洗衣机、数码相机、智能手环，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如台式电脑主机、声卡、电子书阅读器、音响设备、触摸屏、电子琴、信号发生器、整流器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
L2N7002DW1T1G	MOSFETs Dual N-channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA SOT363-6
LN4812LT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23
L2N7002KLT1G	MOSFETs N-沟道 Vdss=60V Id@25℃=320mA SOT23
LP4101LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
L2N7002SDW1T1G	2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW
LN2312LT1G	20V N沟道增强型MOSFET
SRK7002LT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω SOT23
LN2302BLT1G	20V N沟道增强型MOSFET
LN2302LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
L2N7002WT1G	小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70

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