LP2307LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: LP2307LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

LP2307LT1G 型号参数

LP2307LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电源供应器、电子灭蚊灯、电动车充电器、实验室离心机、电动自行车充电器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如摄像机、安防摄像头、功放器、机械硬盘、直流电源、手机、音响设备、遥控器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
L2N7002SDW1T1G	2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW
LSI1012N3T5G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW
L2SK3018WT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70
LBSS123LT1G	SOT23 SMT 100V
LP3443LT1G	20V P沟道增强型MOSFET
LBSS84ELT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
LN2302LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
LP9435LT1G	30V 5.3A 50mΩ@10V,5.3A 1.4W 3V@250uA 51pF@15V P Channel 644pF@15V 10nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
LN2312LT1G	20V N沟道增强型MOSFET
L2N7002DW1T1G	MOSFETs Dual N-channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA SOT363-6

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