NCE60P12K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: NCE60P12K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: NCE

NCE60P12K 型号参数

NCE60P12K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如光纤连接器、逻辑分析仪、扬声器、人脸识别设备、电子血压计，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子门锁、电子罗盘、智能手表、电子血压计、摄像机、 OLED显示屏、智能手机、网卡等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE82H140D	N沟道 VDS=82V VGS=±20V ID=140A P=220W
NCE0117	N沟道增强型功率MOSFET
NCE2030	MOS管 N-channel Id=30A VDS=20V TO220-3
NCE0110AK	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;
NCE3420	N沟道增强型功率MOSFET
NCE0103Y	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT23-3L
NCEP4090GU	NCEP4090GU
NCE40H12	N沟道增强型功率MOSFET
NCEP026N10	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：300W
NCE30P30K	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：60W

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