SIHG30N60E-GE3_Vishay_威世_TO247AC-3_MOSFETs

Name: SIHG30N60E-GE3_Vishay_威世_TO247AC-3_MOSFETs
Brand: Vishay

SIHG30N60E-GE3 型号参数

SIHG30N60E-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子罗盘、专用集成电路（ASIC）、台式电脑主机、示波器、耳机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如话筒（麦克风）、电子空气净化器、网络适配器、游戏机、手机、电子烤箱温度计、 LED显示器、电子加湿器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRF840PBF	通孔 N 通道 500 V 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
SI7738DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=38mΩ@10V
SI4128DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 10.9A（Ta） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC
SI7615ADN-T1-GE3	MOSFETs P-channel VDS=20V ID=35A PowerPAK1212-8
IRFD9120PBF	通孔 P 通道 100 V 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-HVMDIP
SI7852DP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 80 V 7.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8
IRF9630PBF	通孔 P 通道 200 V 6.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
IRFR310TRPBF	表面贴装型 N 通道 400 V 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
SI7232DN-T1-GE3	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=10A RDS(ON)=16.4mΩ@4.5V PowerPAK® 1212-8
SI9933CDY-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=58mΩ@4.5V SOIC8_150MIL

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