WNM2016A-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-23_MOSFETs

Name: WNM2016A-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-23_MOSFETs
Brand: WILLSEMI

WNM2016A-3/TR 型号参数

WNM2016A-3/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子门锁、变压器、功放器、 GPS定位器、平板电脑，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如模拟信号处理器（ASP）、声卡、智能家居控制器、音响设备、复印机、固态硬盘、 MP3播放器、电子签到系统等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WPM3407-3/TR	MOSFETs P-Channel Vdss=30V ID=4.4A PD=1W SOT23-3
WPM2015-3/TR	功率MOSFET 20V 2.2A 800mW 110mΩ@4.5V,2.7A 810mV@250uA P Channel SOT-23-3L
WPM2341A-3/TR	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.7W
WNM2016-3/TR	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=2.9A
WNM4006-3/TR	单N沟道，45V，1.7A，功率MOSFET
WPM1485-6/TR	单p通道，-12V， -7.4A，功率MOSFET
WPT2N32-6/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：1.1W
WPM2081-3/TR	单p通道，-20V， -4A，功率MOSFET SOT23
WNM4153-3/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：300mW
WPM2019-3/TR	功率(Pd)：220mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：810mΩ 4.5V,450mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 类型：P沟道

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